报告题目：低能耗自旋电子器件研究

报告时间：2026年11月6日 10:00

报告地点：成龙校区办公楼125会议室

报告摘要：

  磁性隧道结是自旋电子学的核心器件，在磁性存储器、磁传感、自旋逻辑器件等方面都有重要应用。磁性隧道结是两层磁性层中间夹一非磁性绝缘层的三明治结构，调控磁性层的磁矩取向能够调控磁性隧道结的电阻。目前主要利用电流，通过自旋轨道力矩效应等来实现对磁性隧道结的调控，但电流密度高带来的高能耗难题是其发展瓶颈。为此，我们开发出包含拓扑绝缘体、交错磁体等新型自旋源材料的自旋存储器件，实现了无需磁场的自旋轨道矩翻转磁性隧道结。另一方面，我们结合磁性隧道结和多铁性材料，基于磁电耦合效应，通过磁性隧道结结构设计和铁电应变工程，实现了室温、零磁场下电场调控磁性隧道结，开发了电场驱动型磁电存储原型器件。相关研究为发展低能耗自旋电子器件提供了参考。

报告人简介：

  陈爱天，电子科技大学物理学院教授、博士生导师、国家级青年人才（海外）。2011年于兰州大学获得学士学位，2017年于清华大学获得博士学位，之后到阿卜杜拉国王科技大学，先后担任博士后、研究科学家。2024年入职电子科技大学物理学院。主要从事自旋电子材料与器件研究，研究兴趣包括多铁异质结构中电场调控磁性机制、自旋电子器件制备及其电场调控、自旋轨道矩效应及其器件应用等，相关成果发表于Sci. Adv.，Nat. Commun.，Adv. Mater.，Adv. Funct. Mater. 等期刊。

编辑：唐荣   审核：黄奕嘉   终审：廖磊