报告题目：高通量计算设计二维电子器件的高k介电材料
报告时间：2026年6月11日 10:00
报告地点：成龙校区办公楼125会议室
报告摘要：
单层MoS2等二维（2D）半导体在先进电子器件领域具有重要应用前景，但高介电（高k）层与二维半导体的高质量集成仍是实现高性能器件的关键瓶颈。本报告围绕高k介电层/二维 MoS₂界面设计展开，介绍我们在构建高性能界面方面的研究进展。首先，我们发现氢化处理能够有效钝化传统高k介电层与MoS₂界面处的悬挂键，提高界面性能。该过程可选择性作用于 Si₃N₄、HfO₂等高k介电层表面，而不会破坏MoS₂的本征结构。基于此，我们进一步实现了非晶HfO₂介电层与二维半导体之间的范德华集成。其次，我们提出了一种数据驱动的材料发现方法，用于加速筛选可作为高k介电层的无机分子晶体（IMCs）。通过对Materials Project数据库中大量候选材料进行系统评估，我们最终鉴定出6种适用于二维半导体的潜在高k介电IMC材料。本研究加深了对高k介电层与二维半导体界面集成机制的认识，并为二维电子器件与光电子器件的进一步发展提供了新的材料与界面设计思路。
报告人简介：
杨明，博士毕业于新加坡国立大学物理系，目前是香港理工大学应用物理系长聘副教授，担任IEEE电器器件和固态电路香港联合分会秘书，也是IEEE Transactions on Emerging Topics in Computational Intelligence期刊副主编。杨明教授主要研究兴趣是利用第一性原理计算、高通量计算、基于物理的机器学习等数据驱动手段加速功能材料开发。在Science、Nature Materials、Nature Nanotechnology、Nature Electronics、JACS等国际权威期刊上发表论文超过220篇（被引用超过10000次），授权3项PCT及美国专利，参与编写2部二维材料专著的相关章节。
编辑：唐荣 审核：黄奕嘉 终审：廖磊
