报告题目：Functional Oxides for Low Power Devices

报告时间：2026年5月19日 10:30

报告地点：四川师范大学成龙校区尚美楼报告厅

报告摘要：

  随着物联网、人工智能及大数据中心对计算能效需求的急剧提升，传统 CMOS 技术的能耗瓶颈日益凸显，探索超越 CMOS 的超低功耗逻辑器件已成为后摩尔时代的重要研究方向。本报告中，Ariando 教授将系统介绍其团队在面向低功耗器件的功能性氧化物研究中所取得的系列突破性进展。报告首先从自旋-电荷转换这一核心物理过程出发，阐述如何通过对称性调控与轨道杂化在 Rashba 界面体系中显著提升转换效率，尤其是在 a-LAO/KTO 二维电子气中实现方向依赖的高效逆 Edelstein 效应。随后，报告将聚焦磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件的关键材料需求，介绍他们在 La 掺杂 BiFeO₃ 等磁电材料中实现低电压写入的最新成果。进一步，Ariando 教授将重点展示二维材料与自支撑铁电氧化物（如 BCZTO）异质集成的范德华 FerroFET 器件，该器件实现了非易失性存储、大存储窗口、高开关比以及低至 69 mV/dec 的亚阈值摆幅，充分展现了功能性氧化物在超低功耗逻辑与存储应用中的巨大潜力。本次报告将有助于听众系统了解基于功能性氧化物的后 CMOS 技术前沿动态，并为低功耗器件设计提供新的思路与实验借鉴。

报告人简介：

  Ariando,新加坡国立大学校长讲席教授(Provost's Chair Professor)、物理系副主任(主管科研与研究生培养)，国际知名的量子材料专家。他于2005年获荷兰特文特大学物理学博士学位，2008年加入新加坡国立大学任教至今。他的研究长期聚焦强关联氧化物、氧化物界面电子学与二维量子体系，秉持“材料设计(materials-by-design)”理念，通过精准的材料合成与界面工程，探索超导、强关联电子态等涌现量子物性。过去十余年，他带领团队在复杂氧化物中的涌现量子态、氧化物超导及高质量外延薄膜生长与调控方面取得了一系列国际领先的原创性成果。在人才培养方面，Ariando教授成果斐然，多名学生和博士后已就职于国内外知名高校及科研机构并开展独立研究。他多次受邀在国际顶级学术会议上作特邀报告，同时担任《自然》(Nature)、《自然·材料》(Nature Materials)等国际权威期刊审稿人，为推动量子材料领域的学科发展做出了重要贡献。

编辑：唐荣   审核：黄奕嘉   终审：廖磊