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【学术报告】祝智峰(上海科技大学):自旋力矩驱动亚铁磁与反铁磁翻转研究
[物理与电子工程学院]  [手机版本]  [扫描分享]  发布时间:2024年6月9日
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报告题目:自旋力矩驱动亚铁磁与反铁磁翻转研究

报告时间:2024年6月11日 9:30

报告地点:成龙校区办公楼429

报告摘要:

  自旋电子学的研究推动了新型磁随机存储器的发展。它兼具非易失性、高读写速度和大存储容量,因此被期望用于替代DRAM和SRAM,进而实现统一存储架构。基于铁磁材料的磁随机存储器在近20年发展迅速,其产品已经实现商业化。为了实现更快的数据写入速度(100皮秒)以及更小的器件(20纳米),近年来研究人员开始关注具有强交换作用(>100T)的反铁磁材料和亚铁磁(GdFeCo)。反铁磁可以大致被分为共线反铁磁(如Mn2Au、CuMnAs)和非共线反铁磁(如Mn3Sn)。前期研究发现,类场力矩可以使共线反铁磁的奈尔磁矩翻转90°,然而类比基于铁磁的磁随机存储器,我们更希望实现180°的翻转。此外,在非共线反铁磁的确定性翻转方面,目前学术界也存在争议。相比于铁磁和反铁磁,亚铁磁具有独特的特性,例如非简并的磁矩和角动量补偿点。在本次讲座中,我将介绍我们课题组在亚铁磁、反铁磁翻转方面的研究,特别关注自旋力矩驱动的翻转特性。

报告人简介:

  祝智峰本科毕业于电子科技大学电子科学与技术(微电子技术)专业,博士毕业于新加坡国立大学电子工程专业。祝智峰博士主要对基于自旋电子器件的下一代存储与计算技术进行理论和计算研究,特别关注磁随机存储器和类脑计算器件。目前主持上海市扬帆计划项目(2020-2023),国家自然科学基金青年项目(2022-2024),在Nat. Elec.、Nat. Nanotechnol.、Cell Rep. Phys. Sci.、Phys. Rev. B、Phys. Rev. Appl.、Appl. Phys. Lett.、IEEE VLSI Symp.、IEEE Electron Devices Lett.等知名期刊和会议上发表文章,并担任Nat. Commun., Phys. Rev. Lett., Phys. Rev. B, Appl. Phys. Lett., J. Appl. Phys., IEEE Trans. Circuits Syst. II等期刊审稿人。



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编辑:唐荣