报告题目：“II－IV－Ｖ２型氮化物的性能调控和理论设计”

报告时间：2023年10月13日  10:00

报告地点：成龙校区第一教学楼A314

报告摘要：

  作为III-V半导体材料的类似物，II-IV-V2氮化物具有更丰富的组成和更多样的性质。在报告中，首先将介绍II-IV-V2型氮化物在不同应力应变调控下的行为，在静水压和单轴压下MgGeN2都发生了有趣的相变，尤其是在沿[100]的单轴压下得到了一个层状平面结构，在压力解除之后，该结构可以稳定存在，对于MgSnN2也得到了类似发现。基于此新结构，报告人对MgXN2 (X=Ge, Sn)进行了低维材料的设计。最后将汇报合金化掺杂有序和无序对性质的影响。

报告人简介：

  冯庆国，博士，研究员，四川省特聘专家，1998年于兰州大学获得理学学士学位，2002年于中国科学院高能物理研究所获得理学硕士学位，2009年于德国法兰克福大学获得物理学博士。其后先后在瑞典、美国进行博士后研究。2018年以引进人才方式入职西南交通大学工作。