一、基本信息

学历/学位：博士 (Dr. rer. nat.)

职    称：副研究员

职    务：专职科研

主讲课程：大学物理实验、近代物理实验、纳米材料

研究兴趣：凝聚态物理；半导体材料物理与器件；离子束材料改性与缺陷物理

1. 基于超掺杂半导体材料的红外光电子器件

2. 宽禁带半导体材料的掺杂及光电特性研究

3. 离子束对半导体材料的辐照损伤效应及物性研究

招生信息：每年招收博士研究生1名，硕士研究生2-3名，本科生2-3名

办公地址：四川师范大学成龙校区第一实验楼南204

联系方式：maowang@sicnu.edu.cn 

二、个人简介

        2019年博士毕业于德国德累斯顿工业大学(Technische Universität Dresden)物理学专业。攻读博士学位期间在德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心(Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf，HZDR)开展课题研究工作。获得博士学位后，任职于HZDR，并获得德国科学基金会(DFG)研究项目基金。2022年入职四川师范大学物理与电子工程学院，主要研究方向为半导体材料的掺杂及光电特性研究、硅基红外光电子器件以及离子束对半导体材料的辐照损伤效应及物性研究。入选四川省“天府峨眉计划”青年人才项目、成都市重大人才项目“蓉漂计划”创新青年人才。由于在离子束与半导体材料研究方面的贡献，荣获2024年国际离子束与材料改性领域(International Conference on Ion Beam Modification of Materials) IBMM prize，并做作大会特邀报告。目前以第一作者(通讯作者)在Acta Materialia, Physical Review B、Physical Review Applied, Applied Physics Letters, Advanced Optical Materials以及Applied Surface Science等期刊发表学术论文20余篇，以联合作者发表学术论文60余篇，总引用次数2800余次。

三、科研项目

1. 德国科学基金会 (Deutsche Forschungsgemeinschaft, DFG), MIR Breitband-Photodetektor bei Raumtemperatur auf der Basis von Si:Te für die Integration auf Wafer-Ebene, 21.6万欧元，2020-2023，项目负责人

2. 国家自然科学基金面上项目, 离子注入诱导多场协同调控硅基探测器短波红外响应机制研究, 50万，2026-2029，项目负责人

3. 国家自然科学基金青年科学基金项目, 基于离子束技术的硅基室温红外光电探测器及其光电特性研究, 30万，2023-2025，项目负责人

4. 四川省科技厅青年科学基金项目，基于离子束技术的超掺杂低维纳米材料的光电特性及其应用研究, 10万，2024-2025，项目负责人

四、代表论著

1. H. Liu, Y. Zhou, M. S. Shaikh, Y. Huang, J. Zhu, R. Heller, U. Kentsch, L. Li, M. Tian, S. Zhou, M. Wang*, Achieving ultralow contact resistivity in Si via Te hyperdoping and millisecond post-metallization annealing, Acta Materialia 278, 120269 (2024).

2. M. Wang*, A. Debernardi, Wenxu Zhang, Chi Xu, Ye Yuan, Yufang Xie, Y. Berencén, S. Prucnal, M. Helm, and Shengqiang Zhou, Critical behavior of the insulator-to-metal transition in Te-hyperdoped Si, Physical Review B 102, 085204 (2020).

3. S. Peng, A. Wang, M. S. Shaikh, R. Hübner, T. Wang, M. Yuan, R. Heller, U. Kentsch, Y. Huang, J. Zhu, M. Tian, L. Li, S. Zhou, F. Chen, M. Wang*, Dual-band plasmonic resonance-enhanced absorptance in Au/Si:Te heterostructures for mid-infrared applications, Applied Physics Letters 127, 297871 (2025).

4. M. Wang*, E. García-Hemme, Y. Berencén, S. Prucnal, C. Xu, Y. Yuan, L. Rebohle, M. Helm and S. Zhou, Silicon-Based Intermediate-Band Infrared Photodetector Realized by Te Hyperdoping, Advanced Optical Materials, 2001546 (2021).

5. M. Wang*, M. S. Shaikh, Y. Li, S. Prucna, J. Zuk, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, L. Rebohle, U. Kentsch, M. Helm, S. Zhou, Charge transport in n-type As- and Sb-hyperdoped Ge, Applied Physics Letters 124, 142107 (2024).

6. M. Wang*, Y. Berencén, E. García-Hemme, S. Prucnal, R. Hübner, Y. Yuan, C. Xu, L. Rebohle, R. Böttger, R. Heller, H. Schneider, W. Skorupa, M. Helm, and S. Zhou, Extended Infrared Photoresponse in Te-Hyperdoped Si at Room Temperature, Physical Review Applied 10, 024054 (2018).

7. M. Wang*, A. Debernardi, Y. Berencén, R. Heller, C. Xu, Y. Yuan, Y. Xie, R. Böttger, L. Rebohle, W. Skorupa, M. Helm, S. Prucnal, and S. Zhou, Breaking the doping limit in silicon by deep impurities, Physical Review Applied 11, 054039 (2019).

8. T. Wang, Y. Li, O. Steuer d, C. Xie, M.S. Shaikh, R. Heller, Y. Huang, J. Zhu, M. Tian, L. Li, X. Ou, S. Zhou, M. Wang*, Heteroepitaxial growth of β-Ga₂O₃ thin films on Si (111) substrates via interfacial engineering for self-powered ultraviolet photodetectors, Applied Surface Science, 71, 164933 (2025).

9. S. Peng, T. Wang, M. S. Shaikh, M. Tian, Y. Huang, R. Heller, J. Zhu, Y. Su, Y. Li, Z. Xie, L. Li, S. Zhou, M. Wang*, Enhanced near-infrared absorption in Au-hyperdoped Si: interplay between mid-gap states and plasmon resonance, Optics Express 32, 32966 (2024).

10. W. Wang, T. Wang, Y. Li, M. S. Shaikh, R. Heller, U. Kentsch, Y. Huang, J. Zhu, M. Tian, L. Li, K. Liu, S. Zhou, M. Wang*, Unveiling Bi doping effect in β-Ga₂O₃: Lattice engineering, band hybridization, and ultraviolet photoresponse tailoring, Journal of Alloys and Compounds, 1042, 183932 (2025).

11. M. Wang*, Hang Liu, M.S. Shaikh, R. Heller, U. Kentsch, L. Li, S. Zhou, Tunable magneto-transport properties in ultra-high Bi-doped Si prepared by liquid phase epitaxy, Applied Surface Science 652,159306 (2024).

12. M. Wang*, Y. Yu, S. Prucnal, Y. Berencén, M. S. Shaikh, L. Rebohle, M. B. Khan, V. Zviagin,R. Hübner, A. Pashkin, A. Erbe, Y. M. Georgiev, M. Grundmann, M. Helm, R. Kirchner, S. Zhou, Mid- and far-infrared localized surface plasmon resonances in chalcogen-hyperdoped silicon, Nanoscale 14, 2826-2836 (2022).

13. M. Yuan, T. Wang,M. S. Shaikh, R. Heller, Y. Li, J. Zuk, M. Turek, A. Drozdziel, K. Pyszniak, Y. Li, U. Kentsch, S. Prucnal, L. Li, M. Wang*, Quantum interference in ultra-doped n-type Ge via millisecond flash lamp annealing: structural and electron transport properties, Physica Scripta, 100, 095953 (2025).

14. M. Wang*, R. Hubner, C. Xu, Y. Xie, Y. Berencén, R. Heller, L. Rebohle, M. Helm, S. Prucnal, S. Zhou, Thermal stability of Te-hyperdoped Si: Atomic-scale correlation of the structural, electrical, and optical properties, Physical Review Materials 3, 044606 (2019).

15. M. S. Shaikh, M. Wang*, R. Hübner, Maciej Oskar Liedke, M. Butterling, D. Solonenko, Zichao Li, Yufang Xie, D. R. T. Zahn, A. Wagner, M. Helm and Shengqiang Zhou, Phase evolution of Te-hyperdoped Si upon furnace annealing, Applied Surface Science 567, 150775 (2021) (*: corresponding author)

16. M. Wang*, M. S. Shaikh, U. Kentsch, R. Heller and Shengqiang Zhou, Sub-band gap infrared absorption in Si implanted with Mg, Semiconductor Science and Technology 38, 014001 (2023).

五、人才培养

  现指导硕士研究生5名。

六、学术交流

    2019.01-03 Universidad Complutense de Madrid, 短期访问学者

    2017.07-08 European Synchrotron Radiation Facility (ESRF), 短期访问学者

编辑：张赟   审核：闫从华   终审：廖磊