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学院王孜博副研究员在Nanotechnology期刊上发表关于拓扑表面态综述文章
[物理与电子工程学院]  [手机版本]  [扫描分享]  发布时间:2021年6月26日
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近日,四川师范大学物理与电子工程学院、计算科学中心王孜博副研究员,与西北大学成淑光教授、苏州大学江华教授等合作,应IOP杂志社邀请,以第一作者身份在Nanotechnology期刊中被接收题为Topological kink states in graphene的有关拓扑表面态的综述文章https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6528/ac0dd8,四川师范大学物理与电子工程学院为第一单位。

 由于独特的能带性质,石墨烯展现出了无数区别于其它材料的特殊电学性质。其中,空间反演对称性的破坏可以引入一个能隙,因而人们可以证明在石墨烯的domain wall附近存在一维的谷极化拓扑表面态。有意义的是,这些拓扑表面态拥有谷-动量锁定的特性,这使得拓扑表面态在谷自旋电子学中有着潜在的应用价值。这篇综述文章系统地回顾了近些年来,人们在单双层石墨烯以及类石墨烯经典波系统里,关于拓扑表面态的理论和实验进展。此外,很多关于拓扑表面态的应用,包括谷过滤器、谷电流分束、谷电流发生器、Majorana零能态等也在文章中给予了介绍。

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1:通过在双层石墨烯两侧加kink voltage实现domain wall以及拓扑表面态的例子,其中图1c)的红色态即为拓扑表面态。

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2:通过调整不同格子在位能而在单层石墨烯中实现拓扑表面态的一个例子。

 

本论文得到了国家科技部(2019YFA0308403)以及国家自然科学基金(117043481187429811822407)的支持。

 

王孜博2016年博士毕业于北京大学物理学院,2016-2020年在中物院微系统与太赫兹中心工作,2020年加入四川师范大学物理与电子工程学院。工作以来发表多篇第一作者文章,包括Physical Review B两篇,主持国家自然科学基金青年基金一项。



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编辑:物电学院